在SIwave第七部分 SIwave之EMC分析(I)中，我们介绍了SIwave是如何实现EMI规则检测、如何获得开关电源的插入损耗，进而设计EMI滤波器，在SIwave第八部分 SIwave之EMC分析(II)中，我们将介绍，在Circuit仿真后，我们该如何将电路仿真数据推送到电磁场仿真中去。

近场分析

在我们完成瞬态电路仿真后，我们需要对抽象出来的等效系统进行配置，将这些瞬态数据进行快速傅里叶变换(FFT):我们需要选择等效系统，然后选择 “Push Excitations”

随后，我们需要选中对哪个仿真结果进行FFT，因为我们就进行了瞬态分析，因此只有一个选项可以选择。在Circuit电路仿真中，我们配置了瞬态范围为10MHz到1GHz，因此接下来的近场和远场仿真，都会按照这个范围。

选择OK过后，Circuit会自动生成临时文件(后缀为.tmp)，我们需要回到SIwave界面，开始进行空间近场分析(Compute Near Field)，将临时文件作为依据来进行分析。

对于板的近场展示面距离，一般选择3mm即可。这是经验值，我们了解即可。

上图就是仿真的结果，我们可以看到，形成的立方体展示了仿真频率发射辐射的区域，我们可以设置起始频率和终止频率，形成动画，快速了解那些区域需要注意。在下方的频率能量展示图中，我们可以得到那些频率的能量很强，需要格外关注。

远场分析

在近场分析后，我们接下来就是远场分析。

随后，我们可以选择MaxrETotal、rEPhi、rETheta、rEtotal

rE Phi、rE Total、rE Theta这些专有名词，用于描述天线或电磁辐射设备的电场特性，因为分析的并非RF，因此我们选择Max rE Total.

rE Total : The maximum of the total rE-field.
rE Phi : The maximum rE-field in the phi-direction
rE Theta : The maximum rE-field in the theta-direction

接下来，我们回到Circuit电路仿真界面，我们可以在Result栏中找到结果:

其默认设置的距离是1m，且是VdB/m

如果我们想要配置距离为3m，我们需要除以3，同时想要修改单位为uVdB/m，还需要在后面+120

补充:dBV与dBuV之间的换算为什么是120：

  • dBV = 20×log10(V/1V)
  • dBμV = 20×log10(V/1μV)=20×log10(V/10−6V)

两者相差dBμV−dBV=20×log10(1μV1V)=20×log10(106)=20×6=120 dB

因此: 大转小，+120

随后，New Report就可以得到更新过后的结果。